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标题: MOS场效应管被静电击穿是什么原因？ [打印本页]

作者: 小鱼儿 时间: 2013-3-12 13:29
标题: MOS场效应管被静电击穿是什么原因？

作者: 奶油蛋糕 时间: 2013-3-12 13:30
MOS场效应管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式；1）电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；2）功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。现在的mos场效应管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环，基本上手摸一个坏一个。

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