“常用公式”在线计算,“设计手册”在线查询
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 分享分享 分享淘帖 支持支持 反对反对

共 1 个关于本帖的回复 最后回复于 2013-3-15 17:05

沙发
鼠标手 新来的 发表于 2013-3-15 17:05:21 | 只看该作者
研发埠培训中心
绝缘栅双极晶体管(英语:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半导体器件的一种,主要用于电动车辆、铁路机车、动车组、变频器的交流电电动机的输出控制,其结构如图1所示。IGBT的等效电路如图2所示。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:——IGBT栅极与发射极之间的电压;——IGBT集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT集电极-发射极的电流;——IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。 [img][/img][img][/img]
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注我们

360网站安全检测平台