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王贺勇
发表于 2013-5-13 09:15:44
直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重的原因有哪些?
靶悬挂在真空室上方,基片放在靶正下方。实验中,本底真空为2*10^4pa,Ar:1000sccm,功率为7kw,最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中,靶阳极上镀上的硅会发生脱落,落在基片上,在硅膜上产生了很多的坑。
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直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重的原因有哪些?