直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重的原因有哪些？

靶悬挂在真空室上方,基片放在靶正下方。实验中,本底真空为2*10^4pa,Ar：1000sccm,功率为7kw,最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中,靶阳极上镀上的硅会发生脱落,落在基片上,在硅膜上产生了很多的坑。