掺银量非常小,电阻率下降非常多,这是为什么？

我做的是硫化铟薄膜,掺Ag量估算为0.2at%,（非常少了,眼屎大小的银还没蒸发完）,电阻率下降了10的5次方量级,不知道怎么解释。硫化铟是铟缺陷密度高的半导体,n型。目前的想法是,Ag的掺入占据了In空位,引入施主能级；费米能级是不是要提高一些；如此小的掺杂量却有如此大的变化,是不是可以认为Ag的影响是类似于某种长程作用的影响？